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参数目录41679
> BUK6C2R1-55C,118 MOSFET N-CH 55V D2PAK
型号:
BUK6C2R1-55C,118
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 55V D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BUK6C2R1-55C,118 PDF
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
228A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.3 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
253nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
16000pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装
D2PAK
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-9502-1
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